الصورة غير متوفرة
MOSFET قناة N FQD16N25CTM
| نوع الهاردوير | N-channel enhanced power MOSFET |
| تقني | QFET® Flat Belt and DMOS Technology |
| الجهد الكهربائي | 250 V |
| الحالي العمل المستمر | 16 A |
| المقاومة | 0.27 Ω (Typical Value 0.22 Ω) |
| مصدر الطاقة | 30 V |
| نوع التغليف | TO-252 (DPAK) |
| نوع التثبيت | Surface Mount |
| نوع الموصل | 3 (2 + Radiator Fin) |
| قناة مكبر للصوت | N-Channel |
| درجة الحرارة القصوى للعمل | 150 °C |
| غير تحتوي على الرصاص | Yes |
| المصنع | ON Semiconductor / Fairchild Semiconductor |
رقم المصنع
FQD16N25CTMFQD16N25CTM_F080
الرقم التبادلي
FQD16N25C
نظام الكهرباء والكهربائية - الموسوعة الصناعية
MOSFET قناة N عالي الأداء FQD16N25CTM من onsemi، بمتطلبات جهد 25V وقدرة تيار 16A. مثالي لتطبيقات تبديل الطاقة في الأنظمة السياحية والصناعية. أرقام القطع: FQD16N25CTM، FQD16N25CTM_F080.